Purity:>99.995%

簡(jiǎn)要描述:純度: 99.995%
產(chǎn)品型號:
廠商性質:生(shēng)產廠家
更新(xīn)時間:2025-05-23
訪 問(wèn) 量(liáng):732產(chǎn)品名(míng)稱
中(zhōng)文名(míng)稱(chēng): 純進口(kǒu)HQ graphene 硒化镓(jiā)晶體(tǐ)
英文名稱(chēng):HQ graphene 2H phase Gallium Selenide
產品概(gài)述(shù)
GaSe (2H相(xiāng))是一種(zhǒng)間接(jiē)帶隙為(wéi)~2.1 eV的(dí)半(bàn)導(dǎo)體。GaSe已被(bèi)用作半導體,光導體,非綫性(xìng)光學(xué)中的(dí)二次(cì)諧(xié)波(bō)產生晶(jīng)體和遠紅外(wài)轉換(huàn)材料。這(zhè)些(xiē)層通(tōng)過範德華(huá)相(xiāng)互作用(yòng)堆疊(dié)在一(yī)起(qǐ),可(kě)以剝離成(chéng)薄(báo)的二維(wéi)層。GaSe屬於(yú)13族過(guò)渡後金屬(shǔ)單(dān)硫族化合(hé)物(wù)。硒化(huà)镓(jiā)的(dí)2H相具有典型的(dí)橫向尺寸為(wéi)~0.6 ~ 0.8 cm,具有深銅(tóng)金屬外觀。
GaSe (2H phase) is a semiconductor with an indirect band gap of ~2.1 eV. GaSe has been used as a semiconductor, photoconductor, a second harmonic generation crystal in nonlinear optics and as a far-infrared conversion material. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. GaSe belongs to the group-13 post-transition metal monochalcogenides.
The 2H phase of Gallium Selenide has a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and has a dark-copper metallic appearance.
技(jì)術(shù)參數(shù)
純度(dù): 99.995%
尺寸(cùn):0.6 ~ 0.8 cm
顏(yán)色(sè): 棕色(sè)
產(chǎn)品特(tè)點
Electrical properties:Semiconductor
Crystal structure:Hexagonal
Unit cell parameters:a = b = 0.374 nm, c = 1.592 nm, α = β = 90°, γ =120°
Type:Synthetic
Purity:>99.995%
應用領(lǐng)域
在光電領(lǐng)域:
太陽能電池:硒(xī)化(huà)镓晶體(tǐ)具有合適(shì)的(dí)能帶結構(gòu)和較高的(dí)光吸收係(xì)數,可(kě)用於製(zhì)造高(gāo)效的(dí)太陽能(néng)電(diàn)池(chí)。例如(rú),在(zài)多結(jié)太(tài)陽(yáng)能電池中(zhōng),硒化(huà)镓可(kě)以作為其中的(dí)一個(gè)子電(diàn)池(chí),吸(xī)收(shōu)特(tè)定波(bō)長的太陽(yáng)光,從(cóng)而(ér)提(tí)高整(zhěng)個電池的光電轉(zhuǎn)換效率(shuài)。
光(guāng)電探(tàn)測(cè)器:能夠(gòu)對(duì)特(tè)定波(bō)長(cháng)的(dí)光產(chǎn)生響(xiǎng)應,可用(yòng)於製造(zào)高性(xìng)能的光(guāng)電(diàn)探測器。比如在紅外光電(diàn)探測(cè)器中,硒化(huà)镓晶(jīng)體(tǐ)可(kě)以檢測(cè)到紅外光信號,並(bìng)將其轉(zhuǎn)換為電信號(hào)。
在半導體(tǐ)領(lǐng)域(yù):
半(bàn)導(dǎo)體器件:可用(yòng)於製造各(gè)種(zhǒng)半導體(tǐ)器(qì)件(jiàn),如(rú)晶體(tǐ)管,場(cháng)效應管等。例(lì)如,在(zài)高頻和(hé)高速電(diàn)子(zǐ)器件中,硒化(huà)镓晶(jīng)體(tǐ)的優良電學性能(néng)有助於提高(gāo)器(qì)件(jiàn)的(dí)工作頻(pín)率和速(sù)度。
在光(guāng)學領域:
非(fēi)綫性(xìng)光(guāng)學材料:具(jù)有非(fēi)綫性光學特(tè)性,可用(yòng)於製作倍頻器(qì),光調製(zhì)器(qì)等非(fēi)綫(xiàn)性(xìng)光學(xué)器件(jiàn)。比如(rú)在激光(guāng)係(xì)統中,硒(xī)化镓晶(jīng)體(tǐ)可以實(shí)現激(jī)光(guāng)頻率的倍頻(pín)。