產(chǎn)品名稱

中(zhōng)文名稱:純(chún)進(jìn)口(kǒu)HQ graphene 硒化錸晶體(tǐ)

英文名稱(chēng)：HQ graphene ReSe2 Crystal

產(chǎn)品概(gài)述

ReSe2是一種(zhǒng)半導(dǎo)體(tǐ)（~1.1 eV）這(zhè)些(xiē)層通過(guò)範(fàn)德華(huá)相互作(zuò)用堆(duī)疊(dié)在一起(qǐ)，可以剝離成薄(báo)的(dí)二(èr)維層。二硒(xī)化錸屬於(yú)第七(qī)族(zú)過渡金(jīn)屬(shǔ)二(èr)硫(liú)族化合(hé)物（TMDC）。在(zài)HQ石墨烯生產的ReSe2晶(jīng)體具(jù)有三角(jiǎo)形和金(jīn)屬外(wài)觀。我(wǒ)們(mén)製備的(dí)n型ReSe2在室(shì)溫(wēn)下具有典型(xíng)的載(zǎi)流子密(mì)度~1016cm-3。

ReSe2 is a semiconductor (~1.1 eV). The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Rhenium Diselenide belongs to the group-VII transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The ReSe2 crystals produced at HQ Graphene have triangular shapes and a metallic appearance. We produce n-type ReSe2, having a typical charge carrier density of ~1016cm-3 at room temperature. 

技術參(cān)數(shù)

純度: 99.995%

尺(chǐ)寸:~8 mm

顏(yán)色: 黑(hēi)色

產品(pǐn)特點(diǎn)

Electrical properties：Semiconductor, n-type

Crystal structure：Triclinic

Unit cell parameters:a = 0.658 nm, b = 0.670 nm, c = 0.672 nm, α = 91.75°, β = 105°, γ = 118.9°

Type：Synthetic

應(yīng)用(yòng)領域

在(zài)電子學領域：

場效應晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)（FET）：硒(xī)化銦晶體(tǐ)由於(yú)其電(diàn)學(xué)特性，如(rú)高(gāo)載流子遷(qiān)移率(shuài)，可(kě)用於(yú)製造(zào)高性(xìng)能的(dí)場效應(yīng)晶體(tǐ)管(guǎn)。例如(rú)，在柔性電子設備(bèi)中(zhōng)，基於硒化銦(yīn)晶體的(dí) FET 能夠(gòu)實(shí)現(xiàn)高(gāo)效(xiào)的(dí)信號傳輸和(hé)處(chǔ)理。

存儲器：其電阻可在不同條(tiáo)件下(xià)發(fā)生變化，這使(shǐ)得(dé)它有(yǒu)望(wàng)應用(yòng)於(yú)非(fēi)易(yì)失(shī)性(xìng)存(cún)儲器，如(rú)阻變存儲器(qì)（RRAM）。比如，在一些高密度存儲芯(xīn)片中，硒(xī)化銦(yīn)晶(jīng)體(tǐ)可以作為存(cún)儲單元(yuán)，實現(xiàn)快速的(dí)數據讀寫和長期的數(shù)據(jù)保存。

在光(guāng)電(diàn)領域：

光(guāng)電(diàn)探測(cè)器：對光(guāng)具有(yǒu)較(jiào)好的響應，可(kě)用(yòng)於製(zhì)造(zào)高性能(néng)的光(guāng)電(diàn)探測器。例如，在(zài)紅外(wài)光探(tàn)測(cè)中，硒化(huà)銦晶(jīng)體能夠(gòu)將光信號轉換為電(diàn)信(xìn)號，應(yīng)用(yòng)於(yú)安(ān)防(fáng)監控(kòng)係(xì)統(tǒng)或通信(xìn)係統(tǒng)。

太陽能電池：作為太(tài)陽(yáng)能(néng)電(diàn)池的吸收(shōu)層(céng)材(cái)料(liào)，能夠(gòu)有(yǒu)效(xiào)地(dì)吸收太陽光並轉(zhuǎn)化為電(diàn)能。比如，在(zài)新(xīn)型薄(báo)膜太(tài)陽能電(diàn)池中，硒(xī)化(huà)銦(yīn)晶體可以提高(gāo)電(diàn)池(chí)的光(guāng)電轉(zhuǎn)換效(xiào)率。

在傳感器領(lǐng)域(yù)：

氣(qì)體傳(chuán)感器：對(duì)某(mǒu)些(xiē)特定(dìng)氣體具有敏感性(xìng)，可(kě)用(yòng)於製(zhì)造(zào)氣體傳感器來檢(jiǎn)測環(huán)境中(zhōng)的(dí)有(yǒu)害氣體。例如，檢(jiǎn)測一(yī)氧(yǎng)化碳，氨(ān)氣(qì)等氣體的濃(nóng)度(dù)變化。

在納米(mǐ)技術領(lǐng)域：

納米器件(jiàn)：由於(yú)其(qí)在納(nà)米尺(chǐ)度(dù)下(xià)的(dí)特(tè)殊性質，可(kě)用於(yú)構建(jiàn)納(nà)米(mǐ)級別(bié)的電子和光電子器件。比(bǐ)如，利用硒(xī)化(huà)銦(yīn)晶體(tǐ)製(zhì)造(zào)納米(mǐ)級(jí)的(dí)場(cháng)效應(yīng)晶(jīng)體管(guǎn)，實現(xiàn)更小尺寸和更高性能的(dí)納米(mǐ)電路。