產品名稱(chēng)

中(zhōng)文名(míng)稱: 純進口(kǒu)HQ graphene 硫化镓晶(jīng)體(tǐ)

英(yīng)文名稱：HQ graphene GaS Crystal

產品概(gài)述

GaS （β相(xiāng)）是(shì)一(yī)種間(jiān)接帶(dài)隙(xì)為(wéi)~2.6 eV的(dí)半(bàn)導(dǎo)體(tǐ)。這些層(céng)通過(guò)範德華相互作用堆(duī)疊(dié)在(zài)一(yī)起(qǐ)，可以剝離(lí)成(chéng)薄的二維層(céng)。α-GaS屬13族過渡後金(jīn)屬單硫(liú)族(zú)化合物。在HQ石墨(mò)烯中製備的(dí)硫(liú)化镓晶體具有(yǒu)典型的(dí)橫向尺(chǐ)寸為~0.6-0.8 cm。晶體呈(chéng)黃色(sè)，透(tòu)明(míng)。

GaS (beta phase) is a semiconductor with an indirect band gap of ~2.6 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. α-GaS belongs to the group-13 post-transition metal monochalcogenides.

The Gallium sulfide crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm. The crystals are yellow colored and transparent.

技術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:6-8mm

顏(yán)色(sè): 淡黃色

產(chǎn)品特點

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = 0.360, b = 0.360 nm, c = 1.553 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

應用領域(yù)

在(zài)半導體領域(yù)：

製(zhì)造(zào)光電探測器(qì)：硫化镓(jiā)晶體對(duì)特(tè)定波長的(dí)光具有(yǒu)良(liáng)好的(dí)響(xiǎng)應(yīng)，可用於製造(zào)高性能(néng)的(dí)光電探測(cè)器(qì)。例如，在光纖通信係(xì)統中(zhōng)，硫化镓(jiā)晶體(tǐ)光電探測(cè)器可以將光信(xìn)號(hào)轉換為(wéi)電(diàn)信號，實現(xiàn)高(gāo)速，靈敏的光通(tōng)信。

太(tài)陽能(néng)電池：可作(zuò)為(wéi)太(tài)陽能電池(chí)的(dí)吸收層材(cái)料(liào)。比如(rú)在薄膜太陽能(néng)電(diàn)池中，硫化镓晶(jīng)體有(yǒu)助於(yú)提(tí)高電(diàn)池的(dí)光電轉(zhuǎn)換(huàn)效(xiào)率(shuài)。

在(zài)光學領域(yù)：

非綫性光(guāng)學器(qì)件：由於(yú)其(qí)非(fēi)綫性光學特性，可用於製(zhì)造諸如倍(bèi)頻器，混(hùn)頻器等非綫性光(guāng)學(xué)器件。例如(rú)，在激光係統中，硫(liú)化镓晶體(tǐ)可(kě)以實現(xiàn)激光(guāng)頻(pín)率的轉(zhuǎn)換和調製(zhì)。

發光二極管(guǎn)（LED）：作為發光材(cái)料(liào)，用於(yú)製造(zào)高(gāo)效的(dí)發光二(èr)極管。比(bǐ)如在某些特殊(shū)用(yòng)途(tú)的(dí) LED 中(zhōng)，硫(liú)化(huà)镓(jiā)晶體(tǐ)能發(fā)出(chū)特定波(bō)長的光(guāng)。

在(zài)傳(chuán)感器(qì)領(lǐng)域：

氣(qì)體(tǐ)傳感(gǎn)器(qì)：對某些(xiē)氣體具(jù)有敏感(gǎn)性(xìng)，可(kě)用(yòng)於檢(jiǎn)測特定(dìng)氣(qì)體的濃度(dù)。例如(rú)，用於檢(jiǎn)測環境(jìng)中的有害(hài)氣(qì)體，如硫化(huà)氫(qīng)等(děng)。