Purity:>99.995%

產品名(míng)稱
中文名稱(chēng): 純進口HQ graphene碲(dì)化(huà)鉍晶體(tǐ)
英(yīng)文名(míng)稱(chēng):HQ graphene Bi2Te3 Crystal
產品概(gài)述(shù)
Bi2Te3是(shì)一種拓(tuò)撲(pū)絕(jué)緣體,在(zài)室溫下具(jù)有熱電(diàn)特(tè)性(xìng)。這些(xiē)層通(tōng)過範(fàn)德(dé)華(huá)相互作(zuò)用(yòng)堆(duī)疊在(zài)一起,可以(yǐ)剝離成(chéng)薄的二維層(céng)。Bi2Te3屬於(yú)15族(zú)過渡後金(jīn)屬三(sān)鹵族。在(zài)HQ石(shí)墨烯(xī)中製(zhì)備(bèi)的Bi2Te3晶(jīng)體(tǐ)具(jù)有典型的(dí)橫向尺寸(cùn)為~0.6-0.8 cm,具有金屬外觀。
Bi2Te3 is a topological insulator and has thermoelectric properties at RT. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Bi2Te3 belongs to the group-15 post-transition metal trichalcogenides.
The Bi2Te3 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and have a metallic appearance.
技(jì)術參數
純(chún)度(dù): 99.995%
尺(chǐ)寸:0.6-0.8 cm
顏(yán)色: 黑灰(huī)色(sè)
產(chǎn)品(pǐn)特點
Electrical properties:Topological Insulator, Thermoelectric material
Crystal structure:Hexagonal
Unit cell parameters:a = b = 0.438 nm, c = 3.050 nm, α = β = 90°, γ = 120°
Type:Synthetic
Purity:>99.995%
應用領(lǐng)域
熱(rè)電製(zhì)冷(lěng):Bi2Te3是(shì)一種(zhǒng)良好(hǎo)的(dí)熱(rè)電(diàn)材料,具有良好的(dí)熱電性能。這意味著(zhuó)它可以將(jiāng)熱(rè)能轉(zhuǎn)化為電能,或者反過(guò)來(lái),將電(diàn)能(néng)轉化(huà)為冷(lěng)卻(què)效應。因此,它(tā)在製造(zào)熱(rè)電(diàn)發(fā)電機(jī)和熱電(diàn)製(zhì)冷(lěng)設備中具有廣泛應(yīng)用,特別(bié)是(shì)在航空(kōng)航天和能(néng)源回收(shōu)領(lǐng)域(yù)。
半(bàn)導體(tǐ)材(cái)料:Bi2Te3是一種(zhǒng)半導體,具(jù)有(yǒu)能隙,可以控(kòng)製電子和(hé)空穴的導電性(xìng)。這使得(dé)它在(zài)電子(zǐ)器(qì)件(jiàn),熱電(diàn)傳(chuán)感器和(hé)光電器件(jiàn)中(zhōng)有(yǒu)很(hěn)大(dà)用(yòng)途(tú)。
紅(hóng)外(wài)探(tàn)測(cè)和傳感(gǎn):碲(dì)化(huà)鉍(bì)晶(jīng)體是(shì)一(yī)種窄(zhǎi)帶(dài)隙(xì)半(bàn)導體(tǐ)材料(liào),由鉍和(hé)碲元素(sù)組成。這(zhè)種材料使(shǐ)其(qí)在紅外(wài)波(bō)段(duàn)具有(yǒu)較高的(dí)光電轉換效率,因此在紅外(wài)探測和(hé)傳感領域(yù)有(yǒu)很(hěn)大(dà)的潛力。碲化(huà)鉍晶(jīng)體通常被(bèi)用(yòng)於(yú)製造紅外(wài)探(tàn)測(cè)器,光(guāng)電二(èr)極(jí)管(guǎn)以及(jí)其(qí)他紅外(wài)光電(diàn)子(zǐ)器(qì)件。