產(chǎn)品名稱

中文名稱: 純進口HQ graphene 硒化鉍(bì)晶體(tǐ)

英文(wén)名(míng)稱(chēng)：HQ graphene Bi2Se3 crystal

產(chǎn)品概(gài)述(shù)

Bi2Se3是(shì)塊體(tǐ)晶(jīng)體帶隙約(yuē)0.3 eV的拓(tuò)撲絕(jué)緣體。這(zhè)些層通過(guò)範德華相互作用堆疊在一(yī)起，可以剝離成薄的(dí)二(èr)維(wéi)層。Bi2Se3屬於(yú)15族過(guò)渡(dù)後(hòu)金(jīn)屬三鹵(lǔ)族。 Bi2Se3晶(jīng)體具有典型(xíng)的(dí)橫向(xiàng)尺寸(cùn)為~0.6-0.8 cm，具(jù)有金(jīn)屬外觀(guān)。

Bi2Se3 is a topological insulator with a band gap of ~0.3 eV for bulk crystals. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Bi2Se3 belongs to the group-15 post-transition metal trichalcogenides.

The Bi2Se3 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm and have a metallic appearance.

技(jì)術(shù)參數(shù)

純度: 99.995%

尺寸:~ 8mm

顏(yán)色(sè): 黑(hēi)灰(huī)色

產品(pǐn)特點(diǎn)

Electrical properties：Topological insulator

Crystal structure：Rhombohedral

Unit cell parameters：a = b = 0.413, c = 2.856 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

應用領(lǐng)域(yù)

Bi₂Se₃（硒(xī)化鉍）是一(yī)種(zhǒng)三(sān)維(wéi)拓(tuò)撲絕緣(yuán)體，具(jù)有(yǒu)多(duō)種潛在應(yīng)用，包括(kuò)但不限於(yú)以下領域(yù)：

拓撲(pū)絕(jué)緣(yuán)體，量(liáng)子(zǐ)霍(huò)爾效(xiào)應(yīng)相關(guān)研究：其(qí)表麵存在受拓撲保護(hù)的(dí)，無能隙的(dí)金(jīn)屬(shǔ)態導電通道，可用(yòng)於研(yán)究(jiū)拓撲絕緣體(tǐ)的(dí)特性(xìng)和量子(zǐ)霍爾(ěr)效應(yīng)等(děng)特(tè)殊的電學現(xiàn)象；

鈉(nà)離子電池：在鈉離子(zǐ)電(diàn)池中，基於拓撲絕緣體 Bi₂Se₃的異(yì)質結硒化(huà)物可以展現(xiàn)出(chū)傑(jié)出的(dí)儲(chǔ)鈉快充(chōng)能力。例如超薄(báo)的 Bi₂Se₃納米(mǐ)片具有(yǒu)豐富(fù)的電荷快速(sù)轉(zhuǎn)移表(biǎo)麵(miàn)，可(kě)作為穿(chuān)入材料內(nèi)部的(dí)電子平(píng)台(tái)，大大(dà)降(jiàng)低電(diàn)荷傳(chuán)輸阻力(lì)，提高(gāo)整體導電性(xìng)；兩種硒(xī)化(huà)物之間豐(fēng)富的界麵能促進(jìn) Na⁺的遷(qiān)移，並提(tí)供額(é)外的(dí)活(huó)性(xìng)位(wèi)點(diǎn)；

熱電材料(liào)：Bi₂Se₃具有(yǒu)一定(dìng)的熱電性能，可(kě)將熱能轉化為電能，在(zài)熱(rè)電(diàn)發電機中(zhōng)具有應(yīng)用潛力；

電(diàn)子(zǐ)學和器(qì)件(jiàn)：由於其特(tè)殊(shū)的(dí)電子(zǐ)性質(zhì)，可被用(yòng)於新型電子(zǐ)器(qì)件(jiàn)的開(kāi)發，如拓撲(pū)絕(jué)緣體晶體(tǐ)管(guǎn)和(hé)拓撲絕(jué)緣體(tǐ)自旋電(diàn)子學器件等(děng)，這些(xiē)器件在量子(zǐ)計算和量(liáng)子(zǐ)信息處理(lǐ)中(zhōng)有(yǒu)潛在(zài)應(yīng)用(yòng)；

光電器件：在薄層(céng)形(xíng)式下可以表現(xiàn)出二維電(diàn)學(xué)特(tè)性，其(qí)晶(jīng)體和(hé)電子結(jié)構具(jù)有(yǒu)寬帶光吸(xī)收，厚(hòu)度依(yī)賴的(dí)表(biǎo)麵(miàn)帶隙和偏振敏感光(guāng)響應(yīng)等(děng)特性，適用於光電子(zǐ)學領(lǐng)域(yù)，如可見-紅外探測，太(tài)赫茲探(tàn)測(cè)等；

磁電(diàn)性(xìng)質(zhì)相關應用(yòng)：表現(xiàn)出磁電性質(zhì)，即在(zài)磁(cí)場中會產(chǎn)生電壓，或(huò)施(shī)加電壓時可(kě)改(gǎi)變其(qí)磁(cí)性，這使其(qí)在(zài)磁(cí)電(diàn)傳感器(qì)和記(jì)憶(yì)設(shè)備(bèi)的開發(fā)方麵(miàn)具有潛(qián)在應用；

催(cuī)化劑：將(jiāng) Bi₂Se₃負(fù)載於 TiO₂上(shàng)可(kě)以得到(dào)納(nà)米復(fù)合(hé)材料，既提高(gāo) TiO₂載(zǎi)流子(zǐ)的有(yǒu)效分離能(néng)力(lì)，又增強 TiO₂對可見(jiàn)光吸(xī)收率(shuài)，對聚丙烯酸丁酯和丁氧基丙(bǐng)酸(suān)丁(dīng)酯(zhǐ)展現出(chū)優異(yì)的降解活(huó)性(xìng)和(hé)穩定性。