產(chǎn)品名(míng)稱(chēng)

中文名稱(chēng): 純進(jìn)口(kǒu)HQ graphene 硒化(huà)铌晶體

英(yīng)文(wén)名(míng)稱(chēng)
：HQ graphene 2H-NbSe2 Crystal

產品概述(shù)

2H-NbSe2是一種Tc ~7.2K的(dí)超(chāo)導體，tcw ~33K的電荷密度波（CDW）體係(xì)。這(zhè)些層通過範德華(huá)相互作用堆疊在(zài)一(yī)起，可以(yǐ)剝離(lí)成薄(báo)的二維(wéi)層。2H NbSe2屬於v族(zú)過(guò)渡(dù)金屬(shǔ)二(èr)硫族(zú)化合物(wù)（TMDC）。在HQ石墨烯(xī)中(zhōng)製備的2H相(xiāng)二(èr)硒化(huà)铌晶(jīng)體具(jù)有典型(xíng)的橫向(xiàng)尺(chǐ)寸(cùn)為~0.6-0.8 cm，六(liù)角(jiǎo)形和金屬外(wài)觀。

2H-NbSe2 is superconductor with Tc ~7.2K and a Charge Density Waves (CDW) system with Tcdw of ~33K. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. 2H NbSe2 belongs to the group-V transition metal dichalcogenides (TMDC).
The 2H phase Niobium Diselenide crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.6-0.8 cm, hexagonal shaped and have a metallic appearance. 

技術(shù)參數

純度: 99.995%

尺(chǐ)寸:~8 mm

顏色: 灰黑(hēi)色(sè)

產品特(tè)點

Electrical properties
：uperconductor (Tc~7.2K), Charge Density Waves (CDW) system, Tcdw ~33K

Crystal structure
：Hexagonal

Type
：Synthetic

Unit cell parameters:a = b = 0.344 nm, c = 1.255 nm, α = β = 90°, γ = 120°

應用(yòng)領域

在(zài)電子學(xué)領(lǐng)域
：

場效(xiào)應晶體管（FET）
：硒化銦晶體由(yóu)於其電(diàn)學特性(xìng)，如高載(zǎi)流(liú)子遷(qiān)移(yí)率，可用於(yú)製造(zào)高性(xìng)能的場效應晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)。例(lì)如，在柔性電子設備(bèi)中，基於(yú)硒化(huà)銦晶(jīng)體的 FET 能(néng)夠實現(xiàn)高(gāo)效(xiào)的信(xìn)號傳(chuán)輸(shū)和處(chǔ)理。

存儲(chǔ)器
：其電阻可在(zài)不(bù)同(tóng)條(tiáo)件(jiàn)下發生(shēng)變(biàn)化(huà)，這使(shǐ)得(dé)它有(yǒu)望應用(yòng)於非易失(shī)性存(cún)儲器(qì)，如(rú)阻變(biàn)存(cún)儲(chǔ)器（RRAM）。比如(rú)，在(zài)一(yī)些高密度(dù)存(cún)儲芯(xīn)片中(zhōng)，硒化(huà)銦晶(jīng)體(tǐ)可以(yǐ)作(zuò)為存儲單(dān)元，實(shí)現快速(sù)的數據(jù)讀(dú)寫和長期的數據(jù)保存(cún)。

在光電(diàn)領域(yù)
：

光(guāng)電(diàn)探(tàn)測(cè)器(qì)
：對光具有(yǒu)較好的(dí)響應，可用(yòng)於(yú)製(zhì)造(zào)高性能的光(guāng)電探(tàn)測器。例如(rú)，在(zài)紅外光探(tàn)測中，硒化銦晶(jīng)體能夠(gòu)將(jiāng)光(guāng)信號轉(zhuǎn)換(huàn)為電信(xìn)號，應用於(yú)安(ān)防(fáng)監(jiān)控係(xì)統或(huò)通(tōng)信係統(tǒng)。

太(tài)陽能電(diàn)池(chí)
：作(zuò)為太陽能電(diàn)池(chí)的(dí)吸(xī)收層材(cái)料，能(néng)夠(gòu)有效地(dì)吸收太陽光並(bìng)轉化(huà)為電能。比如，在新(xīn)型(xíng)薄(báo)膜太陽(yáng)能電池(chí)中，硒化銦晶體可以(yǐ)提高電(diàn)池的光電轉(zhuǎn)換效率。

在(zài)傳(chuán)感(gǎn)器領(lǐng)域
：

氣體(tǐ)傳感器
：對某些(xiē)特(tè)定氣體具有敏感性(xìng)，可用於(yú)製(zhì)造氣(qì)體(tǐ)傳(chuán)感器來(lái)檢測環(huán)境中(zhōng)的有害氣體(tǐ)。例(lì)如(rú)，檢測(cè)一氧化(huà)碳(tàn)，氨(ān)氣等(děng)氣(qì)體的(dí)濃度(dù)變(biàn)化(huà)。

在(zài)納(nà)米技(jì)術(shù)領域
：

納(nà)米器(qì)件
：由(yóu)於其在納米(mǐ)尺度(dù)下的特(tè)殊性(xìng)質(zhì)，可(kě)用(yòng)於(yú)構(gòu)建納(nà)米級別的(dí)電子(zǐ)和(hé)光(guāng)電(diàn)子(zǐ)器件。比如，利用(yòng)硒(xī)化銦(yīn)晶(jīng)體製造納(nà)米級(jí)的場(cháng)效應晶體(tǐ)管(guǎn)，實(shí)現更(gēng)小尺寸(cùn)和更(gēng)高性能(néng)的納米電路。