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相(xiāng)關文(wén)章(zhāng)
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純進口HQ graphene 硫化(huà)铌(ní)晶(jīng)體

簡要(yào)描(miáo)述(shù):純(chún)度(dù): 99.995%, 尺(chǐ)寸: 約(yuē)2mm

  • 產品型號:
  • 廠商性(xìng)質:生產廠家(jiā)
  • 更(gēng)新時間:2025-05-23
  • 訪  問  量(liáng):656

產品名(míng)稱(chēng)

中(zhōng)文(wén)名稱: 純進(jìn)口HQ graphene 硫化铌(ní)晶體(tǐ)

英(yīng)文名(míng)稱:HQ graphene NbS2 Crystal

產(chǎn)品(pǐn)概(gài)述(shù)

NbS2 (2H相(xiāng))是(shì)具有(yǒu)Tc ~6K和電(diàn)荷密度(dù)波(bō)(CDW)體係的(dí)超導體。這些(xiē)層通過範德華相(xiāng)互作用(yòng)堆疊(dié)在(zài)一起,可(kě)以剝(bāo)離(lí)成(chéng)薄的(dí)二維(wéi)層。NbS2屬(shǔ)於(yú)v族過渡金(jīn)屬二硫族(TMDC)。

NbS2 (2H phase) is superconductor with a Tc ~6K and a charge density waves (CDW) system. Note that NbS2 also exists in the 3R-NbS2 phase .The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. NbS2 belongs to the group-V transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H NbS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.2 cm, trigonal/hexagonal shaped and have a metallic appearance. 

技術參(cān)數(shù)

純(chún)度: 99.995%

尺(chǐ)寸:~2mm

顏色(sè): 灰黑色

產(chǎn)品(pǐn)特點

Electrical properties:Superconductor (Tc~6K), charge density waves (CDW) system.

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.332 nm, c = 1.197 nm, α = β = 90, γ = 120°

Type:Synthetic


Purity:>99.995%


應用領域

在電(diàn)子學領域:

場(cháng)效(xiào)應晶(jīng)體管(FET):硒(xī)化(huà)銦晶體由(yóu)於其(qí)電學特性,如高載流(liú)子遷(qiān)移(yí)率(shuài),可用於製造高性(xìng)能的場效應晶(jīng)體管(guǎn)。例如(rú),在柔(róu)性電子設(shè)備(bèi)中(zhōng),基於硒(xī)化(huà)銦(yīn)晶(jīng)體(tǐ)的 FET 能夠實(shí)現高(gāo)效的(dí)信(xìn)號傳(chuán)輸(shū)和處(chǔ)理。

存儲器:其電阻可(kě)在不(bù)同(tóng)條件下發生變化(huà),這使得它有(yǒu)望應用(yòng)於非易(yì)失性存(cún)儲(chǔ)器,如阻變(biàn)存(cún)儲(chǔ)器(RRAM)。比如,在一(yī)些(xiē)高密度存(cún)儲芯(xīn)片中(zhōng),硒化(huà)銦晶體可(kě)以作為存儲單(dān)元(yuán),實現快(kuài)速(sù)的(dí)數據(jù)讀寫和長期的數(shù)據保(bǎo)存(cún)。

在光電領域:

光電(diàn)探(tàn)測器(qì):對(duì)光具(jù)有(yǒu)較好(hǎo)的響(xiǎng)應(yīng),可用於(yú)製造(zào)高性能的(dí)光電(diàn)探(tàn)測器。例如,在紅外(wài)光探測中,硒(xī)化銦晶體能(néng)夠(gòu)將光信號(hào)轉(zhuǎn)換為電信(xìn)號(hào),應(yīng)用(yòng)於安防(fáng)監控係統(tǒng)或通信係(xì)統(tǒng)。

太陽能電(diàn)池:作為(wéi)太陽(yáng)能電池的吸收(shōu)層材料,能夠(gòu)有效(xiào)地(dì)吸收太陽光並轉(zhuǎn)化(huà)為(wéi)電能。比(bǐ)如,在新(xīn)型(xíng)薄膜太陽能電池(chí)中(zhōng),硒(xī)化(huà)銦晶體可以(yǐ)提(tí)高電池的光(guāng)電轉換(huàn)效(xiào)率。

在(zài)傳感器(qì)領域(yù):

氣(qì)體傳(chuán)感(gǎn)器:對(duì)某(mǒu)些特(tè)定(dìng)氣(qì)體(tǐ)具(jù)有敏感性,可(kě)用於製(zhì)造(zào)氣(qì)體傳感(gǎn)器(qì)來(lái)檢測(cè)環(huán)境中(zhōng)的有害氣體。例如,檢測一氧(yǎng)化碳,氨(ān)氣(qì)等(děng)氣(qì)體(tǐ)的濃度(dù)變(biàn)化。

在(zài)納(nà)米技術領域:

納米器件:由於其在(zài)納米(mǐ)尺(chǐ)度下(xià)的(dí)特殊性(xìng)質,可(kě)用(yòng)於(yú)構建納(nà)米級(jí)別的電子(zǐ)和光(guāng)電子器(qì)件(jiàn)。比如(rú),利用硒(xī)化(huà)銦晶(jīng)體(tǐ)製造納(nà)米級的場效應晶體(tǐ)管,實現(xiàn)更(gēng)小尺(chǐ)寸和更高性能的納(nà)米電路(lù)。

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