產(chǎn)品名稱(chēng)

中文名稱(chēng): CVD藍(lán)寶石基底單層(céng)二(èr)硫(liú)化鉬連續(xù)薄膜

英(yīng)文名(míng)稱：monolayer continuous film of MoS2 on sapphire substrate

產(chǎn)品(pǐn)概(gài)述(shù)

CVD法(fǎ)（化(huà)學(xué)氣相沉(chén)積法(fǎ)）在製(zhì)備二硫化物(wù)材料方麵發(fā)揮(huī)著(zhuó)重要(yào)作(zuò)用(yòng)，特別是(shì)針(zhēn)對二維層狀(zhuàng)金屬(shǔ)二(èr)硫化物（如(rú)二硫化(huà)鉬MoS2，二(èr)硫化鎢(wū)WS2等(děng)）的製備(bèi)。在製(zhì)備二硫(liú)化(huà)物(wù)材料時，CVD法利(lì)用氣(qì)態(tài)前(qián)驅體（如(rú)金屬源和硫源(yuán)）在加熱的基片表(biǎo)麵(miàn)發生化學反應(yīng)，生成所需的(dí)二(èr)硫化物薄膜。根據(jù)目(mù)標二(èr)硫化物(wù)的種(zhǒng)類(lèi)，常(cháng)見的金屬源包(bāo)括金屬(shǔ)粉(fěn)末(mò)，金(jīn)屬鹵(lǔ)化(huà)物等，硫(liú)源則包括硫粉(fěn)，硫(liú)化氫(qīng)等(děng)。

二維(wéi)層狀金(jīn)屬二硫化鉬因(yīn)其(qí)優異的(dí)光(guāng)電(diàn)特性，可(kě)調節帶(dài)隙和優異(yì)的(dí)空(kōng)氣穩(wěn)定性等性(xìng)能而備受關注，在(zài)光電(diàn)子器件，傳(chuán)感(gǎn)器，能(néng)量(liáng)存儲等(děng)領域(yù)具有廣泛的應用(yòng)前景(jǐng)。例如(rú)，二硫化(huà)鉬和(hé)二(èr)硫化(huà)鎢等(děng)二維(wéi)材料已被廣泛(fàn)應(yīng)用於(yú)光電探(tàn)測器，太陽能電池，超(chāo)級電容(róng)器等(děng)領域。

技術(shù)參數

形(xíng)態(tài)：薄(báo)膜(mó)

MoS2薄膜尺(chǐ)寸：8 mm*8 mm

厚度：0.6～0.8 nm

基底(dǐ)：藍(lán)寶石，單(dān)拋光(guāng)

產(chǎn)品(pǐn)特(tè)點

大(dà)麵積(jī)製備：CVD法可以(yǐ)製備(bèi)出大麵積且(qiě)均(jūn)匀的二(èr)硫(liú)化鉬薄膜，滿足大規(guī)模應用的需(xū)求。

高質量：通過優化反(fǎn)應條件(jiàn)，可以製備(bèi)出高質量，高純(chún)度(dù)的二(èr)硫化(huà)鉬薄膜(mó)，具(jù)有優異(yì)的物(wù)理(lǐ)和化(huà)學性(xìng)能。

可控性：CVD法(fǎ)可(kě)以(yǐ)精(jīng)確控(kòng)製(zhì)薄(báo)膜的厚度(dù)，形貌和(hé)結晶質量等(děng)參(cān)數(shù)，為製(zhì)備(bèi)具(jù)有特(tè)定功(gōng)能的二硫化(huà)鉬材料(liào)提(tí)供(gōng)了可(kě)能。

應(yīng)用(yòng)

晶體管(guǎn)：二維金(jīn)屬(shǔ)二(èr)硫化鉬(mù)因其的(dí)電(diàn)子結(jié)構，可(kě)用於製備(bèi)高性能的(dí)晶(jīng)體(tǐ)管。CVD法能(néng)夠製備出大麵積(jī)，高質量的薄膜，滿足(zú)晶體(tǐ)管(guǎn)製造的需求(qiú)。

傳(chuán)感器(qì)：二(èr)硫(liú)化鉬(mù)材料(liào)在傳感器領域也(yě)有廣(guǎng)泛應用，如濕度傳感(gǎn)器(qì)，氣(qì)體(tǐ)傳感器(qì)等。CVD法(fǎ)製備(bèi)的二硫(liú)化(huà)物(wù)薄膜(mó)具有優(yōu)異(yì)的(dí)敏(mǐn)感性(xìng)和穩(wěn)定性，能夠(gòu)提高傳感(gǎn)器(qì)的性(xìng)能。

光電(diàn)探(tàn)測器：二(èr)維(wéi)金屬二硫化鉬(mù)因(yīn)其優(yōu)異(yì)的光吸(xī)收(shōu)效率(shuài)和(hé)可調(tiáo)節帶隙(xì)，被(bèi)廣泛(fàn)應用(yòng)於(yú)光(guāng)電探(tàn)測(cè)器中(zhōng)

超級電容器(qì)：CVD法製備(bèi)的(dí)二硫化(huà)鉬(mù)薄膜(mó)能(néng)夠(gòu)提(tí)供(gōng)更(gēng)大的(dí)活性麵(miàn)積(jī)和(hé)更(gēng)好的電子(zǐ)傳(chuán)輸(shū)性(xìng)能(néng)，從而提高超(chāo)級電容器(qì)的(dí)能量密(mì)度和(hé)功率密(mì)度(dù)。

催化(huà)劑：CVD法製備(bèi)的(dí)二(èr)硫(liú)化鉬(mù)薄膜(mó)具(jù)有高比(bǐ)表麵(miàn)積和均匀的(dí)形貌，有利(lì)於催化反應的(dí)進行。

柔性電子(zǐ)：隨著柔性(xìng)電子(zǐ)技術(shù)的發(fā)展，二維二硫化(huà)鉬因(yīn)其良好的柔韌(rèn)性和機(jī)械性(xìng)能，可用於製備柔性(xìng)電子器件的(dí)電極或功能層。