產(chǎn)品(pǐn)名稱

中文名(míng)稱(chēng): CVD氧(yǎng)化(huà)矽/矽基底單層(céng)二硫化(huà)鉬連續(xù)薄(báo)膜(mó)

英文(wén)名(míng)稱：monolayer continuous film of MoS2 on SiO2/Si  CVD

產品概述

CVD法（化(huà)學氣相(xiāng)沉積法）在製(zhì)備(bèi)二硫化(huà)物材(cái)料方麵(miàn)發(fā)揮(huī)著重(zhòng)要(yào)作(zuò)用(yòng)，特(tè)別是(shì)針對二維層狀(zhuàng)金(jīn)屬二硫(liú)化物（如二(èr)硫(liú)化鉬MoS2，二硫化(huà)鎢(wū)WS2等(děng)）的製(zhì)備。在製備二硫化物(wù)材料(liào)時，CVD法利(lì)用氣(qì)態(tài)前驅(qū)體(tǐ)（如(rú)金(jīn)屬(shǔ)源和硫源(yuán)）在(zài)加(jiā)熱的(dí)基片表麵發生化學(xué)反(fǎn)應(yīng)，生成(chéng)所(suǒ)需(xū)的二(èr)硫(liú)化(huà)物(wù)薄膜。根(gēn)據目標二硫化物的(dí)種類(lèi)，常見的金屬(shǔ)源(yuán)包括(kuò)金屬粉末，金屬(shǔ)鹵(lǔ)化物等(děng)，硫源則(zé)包(bāo)括(kuò)硫粉，硫化氫(qīng)等。

二(èr)維(wéi)層狀金(jīn)屬二硫化鉬因其(qí)優(yōu)異(yì)的(dí)光電(diàn)特(tè)性，可(kě)調節帶(dài)隙和(hé)優異(yì)的空(kōng)氣穩(wěn)定性等性能而備受關注，在光電子器件，傳感器，能量存(cún)儲等(děng)領(lǐng)域(yù)具有廣泛(fàn)的應用前景(jǐng)。例如(rú)，二硫(liú)化(huà)鉬(mù)和二硫化鎢等二維材(cái)料已被廣(guǎng)泛應用於(yú)光電探(tàn)測器(qì)，太(tài)陽能電池，超級電(diàn)容器(qì)等領域。

技術參數(shù)

形態(tài)：薄(báo)膜(mó)

MoS2薄(báo)膜尺寸：約(yuē)8 mm*8 mm

厚度：0.6～0.8 nm

基底：SiO2/Si

氧化(huà)層(céng)：300nm

產品(pǐn)特點(diǎn)

大麵積(jī)製備：CVD法(fǎ)可(kě)以製備出(chū)大麵(miàn)積(jī)且均匀(yún)的二(èr)硫化(huà)鉬薄膜，滿(mǎn)足大規模應用的(dí)需求(qiú)。

高質量：通過(guò)優化反應條件，可(kě)以製備(bèi)出(chū)高質(zhì)量，高(gāo)純度(dù)的二(èr)硫(liú)化鉬(mù)薄(báo)膜(mó)，具有優異(yì)的物(wù)理(lǐ)和(hé)化學性能(néng)。

可(kě)控性(xìng)：CVD法可以精(jīng)確(què)控(kòng)製薄膜的(dí)厚度(dù)，形(xíng)貌和結(jié)晶質(zhì)量(liáng)等參數，為製(zhì)備具有(yǒu)特(tè)定(dìng)功能的二硫(liú)化(huà)鉬材料提(tí)供(gōng)了(liǎo)可能(néng)。

應用

晶體(tǐ)管：二(èr)維金屬二硫(liú)化鉬因(yīn)其的(dí)電(diàn)子結(jié)構，可(kě)用(yòng)於(yú)製(zhì)備高性能(néng)的(dí)晶(jīng)體管。CVD法(fǎ)能夠製備(bèi)出(chū)大(dà)麵(miàn)積，高(gāo)質(zhì)量的薄(báo)膜，滿(mǎn)足(zú)晶(jīng)體管製造的需求。

傳(chuán)感(gǎn)器：二硫化鉬材(cái)料在傳(chuán)感(gǎn)器領域也有(yǒu)廣(guǎng)泛應(yīng)用，如濕(shī)度(dù)傳感(gǎn)器，氣體傳感器等。CVD法(fǎ)製備(bèi)的二硫化(huà)物(wù)薄(báo)膜具(jù)有優(yōu)異的(dí)敏感性(xìng)和(hé)穩(wěn)定(dìng)性，能(néng)夠(gòu)提高傳感器(qì)的性能。

光(guāng)電(diàn)探測器：二(èr)維金(jīn)屬二硫化鉬因其(qí)優異的(dí)光(guāng)吸收效(xiào)率和可調(tiáo)節(jié)帶(dài)隙，被(bèi)廣泛應(yīng)用於光電探(tàn)測器中

超級(jí)電(diàn)容器：CVD法製備的二硫化鉬薄膜能(néng)夠提供(gōng)更大的活(huó)性麵積(jī)和更好的(dí)電子(zǐ)傳(chuán)輸(shū)性能，從(cóng)而提高(gāo)超級(jí)電容器的(dí)能量密度和功率密度。

催(cuī)化(huà)劑：CVD法製備(bèi)的二(èr)硫化鉬(mù)薄(báo)膜具(jù)有高(gāo)比(bǐ)表(biǎo)麵(miàn)積和均匀的形貌(mào)，有利(lì)於催化反(fǎn)應(yīng)的(dí)進行(háng)。

柔(róu)性電(diàn)子(zǐ)：隨(suí)著柔性電(diàn)子技(jì)術的(dí)發(fā)展，二(èr)維二硫化鉬(mù)因其(qí)良好(hǎo)的(dí)柔韌性和(hé)機械性能，可(kě)用於製備柔性電(diàn)子(zǐ)器(qì)件(jiàn)的電極(jí)或功能層。