名(míng)稱

中(zhōng)文(wén)名稱：CdSe/ZnS核(hé)殼結構量子點定製

英文名稱：Customization of CdSe/ZnS core-shell quantum dots

性質

激發波(bō)長(cháng)範圍(wéi)：365-460nm

熒光發射波長範圍(wéi)：520-630nm

濃(nóng)度(dù)：3mg/mL

溶(róng)劑(jì)：甲苯，正(zhèng)庚(gēng)烷(wán)，環己烷(wán)（常(cháng)規(guī)溶劑(jì)保質期90天，建議(yì)盡快使(shǐ)用）

備注(zhù)：1，表麵默認羧(suō)基

           2，水(shuǐ)相不穩(wěn)定，請盡快(kuài)使用

應用

生(shēng)物(wù)熒光(guāng)標(biāo)記，電(diàn)池，LED等領域(yù)。

其(qí)他信息

4℃冷藏(cáng)密封(fēng)避(bì)光(guāng)保存

先(xiān)豐寄語

通常，量子(zǐ)點的表(biǎo)麵(miàn)是發光(guāng)猝滅的(dí)中心，用無機(jī)或(huò)有機分(fēn)子(zǐ)對(duì)量(liáng)子(zǐ)點進(jìn)行(háng)包覆製備出(chū)核(hé)殼(ké)結(jié)構，可(kě)以(yǐ)減少猝(cù)滅(miè)，提(tí)高熒光(guāng)量子(zǐ)產(chǎn)率(shuài)和光學穩定(dìng)性。ZnS是一種毒(dú)性(xìng)低且(qiě)化(huà)學穩定(dìng)性較高(gāo)的(dí)半導體材料(liào)，作為(wéi)殼層材料(liào)而被廣(guǎng)泛研(yán)究(jiū)。ZnS的(dí)帶隙（3.6eV）相對(duì)較(jiào)大(dà)，電子和(hé)空(kōng)穴的波(bō)函數被限(xiàn)製於核區域(yù)，從而(ér)可以降低(dī)表麵態和缺陷位的非(fēi)輻(fú)射復(fù)合(hé)的(dí)可能(néng)性(xìng)，進一步提(tí)高(gāo)量子(zǐ)點的發光(guāng)強(qiáng)度。