產品名(míng)稱(chēng)

中(zhōng)文名稱: Graphenea石(shí)墨烯場(cháng)效應晶體(tǐ)管芯片S20

英文名(míng)稱(chēng)：Graphenea Graphene Field-Effect Transistor chipS20

產(chǎn)品(pǐn)概(gài)述(shù)

石墨烯(xī)場效應(yīng)晶體管(guǎn)是一種(zhǒng)基於(yú)石墨烯(xī)電(diàn)學特性(xìng)構建的半導體器(qì)件。 通常(cháng)由石墨烯溝(gōu)道，源(yuán)極(jí)，漏極和(hé)柵(zhà)極組成(chéng)。石墨(mò)烯溝(gōu)道(dào)是電流傳輸(shū)的主(zhǔ)要(yào)路(lù)徑，源極(jí)和(hé)漏(lòu)極用於注入和收集(jí)載(zǎi)流子(zǐ)，柵(zhà)極(jí)則通過施(shī)加(jiā)電(diàn)壓來調(tiáo)控溝道(dào)中(zhōng)的載流子(zǐ)濃(nóng)度。 當(dāng)在柵(zhà)極上(shàng)施加(jiā)電(diàn)壓時(shí)，會(huì)在石墨烯溝道(dào)中誘導出(chū)電荷(hé)，從而改變溝道(dào)的電(diàn)導(dǎo)。通過(guò)控製柵極電壓，可以有效(xiào)地調節(jié)源(yuán)極和漏極(jí)之(zhī)間(jiān)的電(diàn)流(liú)，實(shí)現晶(jīng)體(tǐ)管的(dí)開關功(gōng)能。

技術(shù)參數 

芯(xīn)片尺寸(cùn)：10mm x10mm

芯(xīn)片厚度(dù) ：675μm

每個芯片的GFET數量：12

柵(zhà)氧化層厚度：90nm

柵(zhà)極氧(yǎng)化(huà)物材(cái)料：SiO2

基體(tǐ)電阻率(shuài) ：1-10 Ω.cm

封裝形(xíng)式：50 nm Al2O3 + 100 nm Si3N4

Dirac點（背(bèi)柵）：＜50 V

良(liáng)率  ：＞75%

石(shí)墨烯場(cháng)效應遷(qiān)移率：＞1000cm2/V.s

產(chǎn)品特(tè)點(diǎn)

1，高靈(líng)敏度：由於(yú)石(shí)墨烯溝道(dào)的厚(hòu)度(dù)很(hěn)薄，所有電流都在其(qí)表(biǎo)麵流動，因此GFET具(jù)有非(fēi)常高的(dí)靈敏度(dù)。 

2，雙極(jí)性特征(zhēng)：GFET可(kě)以使(shǐ)用(yòng)電子和(hé)空穴兩者(zhě)形(xíng)成(chéng)電流，具(jù)有(yǒu)雙(shuāng)極性(xìng)特(tè)征。 

3，高(gāo)頻性(xìng)能：GFET的(dí)開關(guān)頻率可以(yǐ)接近(jìn)太赫茲範圍(wéi)，比矽(guī)基(jī)FET快(kuài)幾倍(bèi)。 

4，低(dī)功(gōng)耗：石墨烯優異的導電(diàn)性(xìng)和(hé)導熱(rè)性使(shǐ)其工作(zuò)時(shí)的電能損(sǔn)耗(hào)更(gēng)低，散(sàn)熱性(xìng)能更(gēng)好。

應用(yòng)

電子器件：用於製(zhì)造高(gāo)頻，高(gāo)速(sù)，低功(gōng)耗(hào)的電子器件(jiàn)，如(rú)放(fàng)大器，開關和數(shù)字電(diàn)路(lù)等。 

傳(chuán)感(gǎn)器(qì)：基於(yú)石(shí)墨烯的FET傳感器(qì)適(shì)用於(yú)各種傳感應(yīng)用(yòng)，包(bāo)括(kuò)氣體(tǐ)傳感，生(shēng)物(wù)傳(chuán)感(gǎn)和環(huán)境傳感等。 

能源領(lǐng)域(yù)：在能源(yuán)存儲和(hé)轉(zhuǎn)換(huàn)方(fāng)麵也(yě)有潛在的(dí)應(yīng)用，如鋰離子電(diàn)池(chí)和超級電容器的(dí)電極材料等。