產(chǎn)品名(míng)稱(chēng)

中文名稱: 純進(jìn)口HQ graphene 硫(liú)化(huà)鉿(hā)晶(jīng)體(tǐ)

英文(wén)名稱：HQ graphene HfS2 (Hafnium Disulfide) Crystal 

產品(pǐn)概(gài)述

HfS2是一(yī)種(zhǒng)間接帶隙(xì)為~ 2ev的(dí)半(bàn)導體(tǐ)。預測(cè)單層二硫化(huà)鉿的直接帶隙(xì)為~1.2 eV。這些(xiē)層(céng)通過範德華(huá)相互作用堆(duī)疊在一起(qǐ)，可(kě)以剝離成薄的二維(wéi)層。HfS2屬於(yú)iv族過渡金屬二(èr)硫族(zú)化合物（TMDC）。在HQ石墨(mò)烯(xī)中(zhōng)製(zhì)備的二硫(liú)化(huà)鉿晶體(tǐ)橫(héng)向(xiàng)尺寸(cùn)為~0.6-0.8 cm，呈(chéng)六角(jiǎo)形(xíng)，外觀呈紅(hóng)色透明。

HfS2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~2 eV. Single layer Hafnium Disulfide is predicted to have a direct band gap of ~1.2 eV. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. HfS2 belongs to the group-IV transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The Hafnium Disulfide crystals produced at HQ Graphene have a lateral size of ~0.6-0.8 cm, are hexagonal shaped and have a red transparent appearance. 

技術參數

純度: 99.995%

尺寸(cùn):6-8mm

產(chǎn)品(pǐn)特(tè)點(diǎn)

Electrical properties：Semiconductor

Crystal structure：Hexagonal

Unit cell parameters：a = b = 0.363 nm, c = 0.586 nm, α = β = 90°, γ = 120°

Type：Synthetic

應用(yòng)領(lǐng)域(yù)

硫化鉿晶體因(yīn)其(qí)特殊的結構(gòu)和電學性能，成為傳(chuán)感器領(lǐng)域(yù)的(dí)有(yǒu)力(lì)候(hòu)選材(cái)料。它(tā)可(kě)以(yǐ)用於製造氣體(tǐ)傳感(gǎn)器(qì)，壓力(lì)傳感(gǎn)器(qì)和(hé)濕度傳感器等。這(zhè)些傳(chuán)感器(qì)利(lì)用(yòng)了(liǎo)二(èr)硫(liú)化(huà)鉿(hā)晶體(tǐ)的(dí)高靈敏(mǐn)度(dù)和(hé)快速(sù)響應(yīng)特(tè)性(xìng)，在環境(jìng)監測和工(gōng)業自(zì)動(dòng)化中有著重(zhòng)要(yào)應用(yòng)。

在(zài)生(shēng)物醫學領域，二硫(liú)化鉿納(nà)米片被探索(suǒ)用於治(zhì)療(liáo)炎症(zhèng)性腸病。例如，單寧(níng)酸封(fēng)端的(dí)二硫化(huà)鉿(hā)納米(mǐ)片（HfS2@TA）通(tōng)過(guò)液相(xiāng)剝離法製(zhì)備(bèi)，顯(xiǎn)示(shì)出清除活性氧(yǎng)（ROS）和(hé)靶(bǎ)向(xiàng)結(jié)腸(cháng)的能力，這(zhè)為(wéi)腫瘤(liú)和其他疾病(bìng)的治(zhì)療(liáo)提(tí)供(gōng)了新的思路(lù)。

硫化(huà)鉿單層(céng)是(shì)未(wèi)來納(nà)米電子器(qì)件中最有前途(tú)的二維材料之一(yī)。研究(jiū)人員(yuán)正在開(kāi)發基於HfS2的場效應晶(jīng)體管（FET），這種(zhǒng)設(shè)備具有超低功(gōng)耗的特(tè)點(diǎn)，並且可(kě)以實(shí)現(xiàn)多(duō)通道架構(gòu)。這些特性使(shǐ)得(dé)HfS2在(zài)高性(xìng)能計算和數據存儲方麵具(jù)有潛在的(dí)應用(yòng)前(qián)景(jǐng)。

由於(yú)其(qí)直接(jiē)帶隙半(bàn)導體性(xìng)質，單(dān)層二硫(liú)化鉿(hā)晶體在光(guāng)電和光(guāng)電(diàn)子學(xué)中也有(yǒu)廣泛應(yīng)用(yòng)。例如，它(tā)可以用作激(jī)光器和(hé)光電(diàn)探測器(qì)的(dí)核心(xīn)材料，因其優(yōu)異的光(guāng)學(xué)特性(xìng)和儲能性能而受到(dào)重視。

硫化鉿晶體還可以作為催化劑使用(yòng)，特別(bié)是在(zài)高溫(wēn)條(tiáo)件(jiàn)下(xià)。此外(wài)，它在(zài)能源(yuán)存儲(chǔ)和轉(zhuǎn)換設備中(zhōng)的應(yīng)用也正在(zài)研究之中，如超級(jí)電容(róng)器和鋰(lǐ)離(lí)子電(diàn)池(chí)等。