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純(chún)進(jìn)口HQ graphene二(èr)硫化鎢(wū)晶體(tǐ)

簡要描述:純(chún)度(dù): 99.995%, 尺寸(cùn): 約10mm

  • 產品型號:
  • 廠(chǎng)商性質(zhì):生產廠家
  • 更新時間:2025-05-16
  • 訪  問  量(liáng):657

產品名稱

中(zhōng)文名稱:純進口(kǒu)HQ graphene二硫化(huà)鎢(wū)晶體

英(yīng)文名(míng)稱(chēng):HQ graphene 2H-WS2 (Tungsten Disulfide)

產(chǎn)品(pǐn)概述(shù)

2H-WS2是一(yī)種(zhǒng)間(jiān)接(jiē)帶隙為~1.3 eV的半導(dǎo)體(tǐ)。單層2H-WS2具(jù)有(yǒu)直(zhí)接(jiē)帶隙。這些層通過範德(dé)華(huá)相(xiāng)互(hù)作(zuò)用(yòng)堆疊(dié)在一起,可(kě)以剝離成薄的二維(wéi)層。二(èr)硫(liú)化鎢屬(shǔ)於(yú)六(liù)族(zú)過渡(dù)金屬二(èr)硫族化合物(wù)(TMDC)。在(zài)HQ石墨烯(xī)中(zhōng)製備的2H相WS2晶(jīng)體具(jù)有典型的(dí)橫向尺(chǐ)寸(cùn)為~0.8-1 cm,六角(jiǎo)形和金(jīn)屬(shǔ)外觀(guān)。2H WS2為n型(xíng)半導體(tǐ),室溫(wēn)下典(diǎn)型載流(liú)子(zǐ)密度為(wéi)~1014cm-3。

2H-WS2 is a semiconductor with an indirect band gap of ~1.3 eV. Monolayer 2H-WS2 has a direct band gap. The layers are stacked together via van der Waals interactions and can be exfoliated into thin 2D layers. Tungsten Disulfide belongs to the group-VI transition metal dichalcogenides (TMDC). 
The 2H phase WS2 crystals produced at HQ Graphene have a typical lateral size of ~0.8-1 cm, are hexagonal shaped and have a metallic appearance. The 2H WS2 is n-type semiconductor, having a typical charge carrier density of ~1014cm-3 at room temperature. 

技(jì)術參數

純度: 99.995%

晶體尺(chǐ)寸: ~10mm

顏色: 銀(yín)灰色


產(chǎn)品(pǐn)特點

Electrical properties:Semiconductor, n-type

Crystal structure:Hexagonal

Unit cell parameters:a = b = 0.315 nm, c = 1.227 nm, α = β = 90, γ = 120°

Type:Synthetic


Purity:>99.995%


應(yīng)用領域

在潤(rùn)滑領(lǐng)域(yù):

固體潤滑劑:由(yóu)於(yú)其層(céng)狀結構和(hé)低(dī)摩擦(cā)係數,可作(zuò)為(wéi)高性能(néng)的(dí)固體(tǐ)潤(rùn)滑劑(jì)。例如,在(zài)航(háng)空航天(tiān)領(lǐng)域,用於減(jiǎn)少機械部件(jiàn)之間的摩擦(cā)和磨(mó)損,提高機(jī)械係統的(dí)可靠(kào)性和(hé)壽(shòu)命(mìng)。

工業機(jī)械潤(rùn)滑(huá):應(yīng)用(yòng)於各(gè)種工業(yè)機(jī)械的潤(rùn)滑,如(rú)汽車(chē)發動(dòng)機,重型(xíng)設備(bèi)等(děng)。

在電子學領域(yù):

場效(xiào)應(yīng)晶體(tǐ)管(guǎn)(FET):可(kě)用(yòng)於(yú)製造(zào)高性能的場(cháng)效(xiào)應晶(jīng)體(tǐ)管(guǎn)。比如在集成電路中(zhōng),能(néng)夠(gòu)實(shí)現更小(xiǎo)的(dí)尺寸和更(gēng)低(dī)的(dí)功耗。

光電探測(cè)器:對(duì)光具有較好的響應(yīng),可用(yòng)於(yú)製(zhì)造光(guāng)電探測(cè)器,用(yòng)於(yú)光通(tōng)信(xìn),圖像傳(chuán)感等(děng)領(lǐng)域。

在能源領(lǐng)域:

鋰離(lí)子電(diàn)池:作為(wéi)鋰離子(zǐ)電(diàn)池(chí)的電(diàn)極材料,具有較高的比(bǐ)容量(liáng)和良(liáng)好的(dí)循環性(xìng)能。

析氫(qīng)反應催化劑:在(zài)電解(jiě)水製氫(qīng)過程(chéng)中,可(kě)作為(wéi)析(xī)氫反(fǎn)應(yīng)的催(cuī)化(huà)劑(jì),降(jiàng)低反應的過(guò)電位(wèi),提(tí)高(gāo)產(chǎn)氫效率(shuài)。

在(zài)催化(huà)領(lǐng)域(yù):

加氫脫硫:在石(shí)油(yóu)化工中,用於(yú)加氫脫(tuō)硫(liú)反應(yīng),提(tí)高燃油(yóu)的質(zhì)量(liáng)。

留(liú)言(yán)框(kuàng)

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