產品名(míng)稱

中文名(míng)稱(chēng)：(BiSb)2Te3熱電(diàn)材料

英文名稱：(BiSb)2Te3 pyroelectric material

性(xìng)質(zhì) 

厚度：50-300 nm

外形：灰(huī)黑色粉末

主(zhǔ)要成分：Bi0.4Sb1.6Te3

半(bàn)導體類型(xíng)：P型

應(yīng)用(yòng)

熱(rè)電製(zhì)冷(lěng)，溫差(chà)發(fā)電等(děng)。

儲(chǔ)存(cún)條件

室(shì)溫(wēn)，幹(gān)燥(zào)，真(zhēn)空或(huò)保護(hù)氣(qì)氛中(zhōng)（氮氣，氬(yà)氣）保(bǎo)存，最長保存(cún)期限(xiàn)6個(gè)月。

其他(tā)信(xìn)息(xī)

熱(rè)電(diàn)材料(liào)是(shì)一(yī)種能(néng)將熱(rè)能和電能(néng)相互轉(zhuǎn)換(huàn)的(dí)功能材(cái)料(liào)。根據熱(rè)電(diàn)材料的工作溫(wēn)度，可(kě)將(jiāng)其劃(huá)分為低溫(wēn)（300 ~ 500 K），中溫（600 ~ 900 K）和(hé) 高溫(wēn)（＞1000 K）熱電(diàn)材料(liào)。其(qí)中(zhōng)，低(dī)溫(wēn)熱電(diàn)材(cái)料(liào)主要包(bāo)括傳(chuán)統(tǒng)的(dí)Bi2Te3基材(cái)料以及近幾(jī)年(nián)開發出(chū)的(dí)Mg3Bi2材(cái)料和MgAgSb材料(liào)等，中(zhōng)溫(wēn)熱電材料主要包括SnSe，PbTe，GeTe和方(fāng)鈷礦等(děng)，高溫熱電(diàn)材料包(bāo)括傳(chuán)統SiGe合(hé)金(jīn)，Cu2Se，Cu2Te和Half-Heusler合(hé)金(jīn)等。Bi2Te3基合金(jīn)（BixSb2-xTe3和Bi2Te3-xSex）已(yǐ)被廣(guǎng)泛應用，並(bìng)用於(yú)低(dī)溫範圍(wéi)（300-450K）的製(zhì)冷和熱電(diàn)能(néng)量轉(zhuǎn)換應用。然(rán)而，在較高(gāo)的溫度（>500 K）下，它(tā)們的(dí)zT值(zhí)大幅(fú)下降，主要是由於(yú)低(dī)載流子濃度及其(qí)小(xiǎo)帶隙(xì)引起的雙極(jí)傳導(dǎo)。在中檔(dàng)溫(wēn)度(dù)（600-900K）下，將(jiāng)p型BiSbTe和(hé)PbTe結合可以得到位於中(zhōng)低溫(wēn)度範圍（500-600K）的(dí)峰(fēng)值ZT的良好的熱電(diàn)材料。摻雜(zá)其(qí)他(tā)元素(sù)（Ag，In，Cu，Zn）可以(yǐ)進一(yī)步(bù)調整(zhěng)載流子(zǐ)濃度，從而(ér)優化功率(shuài)因數，將峰值zT向更(gēng)高(gāo)的溫(wēn)度移動，但(dàn)要犧(xī)牲載流子遷移(yí)率(shuài)。載流(liú)子(zǐ)濃(nóng)度也可以(yǐ)通過缺(quē)陷(xiàn)工程（如(rú)Sb/Te抗(kàng)體位點(diǎn)）進行改變(biàn)。